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SI4866BDY-T1-E3 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Vishay Siliconix | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI4866BDY-T1-E3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):12V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 12A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5020pF @ 6V 功率 - 最大值:4.45W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Card EdgeRBC50DRXS-S734 圆形 - 外壳AFD51-22-41SN-6233 EMI/RFI(LCM1682-02DE Card EdgeECM31DCSN 存储器AT24C64A-10TU-2.7 配件 - 帽盖AT448C 数据采集 - 数模PCM1702P-JG4 Card EdgeECC08DRXS-S734 薄膜电容器B32653A154K 通孔电阻器CMF502K2000FKEK |