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SI4866BDY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4866BDY-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 12A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5020pF @ 6V 功率 - 最大值：4.45W 安装类型：表面贴装 |
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