订购电话:0755-83217923 和我即时交谈
元器件采购网 > S-425页 > FET - 单SI4866BDY-T1-E3

相关型号

型号 封装 厂家 数量 咨询价格 在线订购

SI4866BDY-T1-E3

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Vishay Siliconix 电话:0755-83217923
询价QQ:和我即时交谈
SI4866BDY-T1-E3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 12A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5020pF @ 6V
功率 - 最大值:4.45W
安装类型:表面贴装

热门型号:

Card EdgeRBC50DRXS-S734 圆形 - 外壳AFD51-22-41SN-6233 EMI/RFI(LCM1682-02DE Card EdgeECM31DCSN 存储器AT24C64A-10TU-2.7 配件 - 帽盖AT448C 数据采集 - 数模PCM1702P-JG4 Card EdgeECC08DRXS-S734 薄膜电容器B32653A154K 通孔电阻器CMF502K2000FKEK